O Fim da Lei de Moore

A Lei de Moore prevê duplicação da densidade de transístores a cada dois anos, mas o custo e a complexidade das fábricas crescem tão depressa que poucas empresas ainda podem acompanhar.

As designações em nanómetros nas tecnologias de transístores deixaram de representar medidas físicas reais e servem sobretudo de marketing.

A litografia EUV e High-NA EUV permitem padrões de 6-7 nm, mas estão limitadas pela física óptica e pela química dos fotorresistes, que não funcionam abaixo de 5 nm.

Os transístores evoluíram de planar para FinFET, depois para GAAFET (RibbonFET) e futuramente CFET, cada geração aumentando drasticamente a complexidade de fabrico.

O crescimento da frequência de relógio dos processadores estagnou desde 2006 devido ao fim do dimensionamento de Dennard e às limitações térmicas e de fugas de corrente.

Inovações como o fornecimento de energia no verso do chip e chiplets são otimizações pontuais e de retorno limitado face aos custos crescentes.

O aumento exponencial dos custos de fotomáscaras e de construção de fabs avançadas exclui pequenos fabricantes dos nós mais evoluídos.

Superar o declínio da Lei de Moore exige simplificar processos, aceitar maiores taxas de defeitos ou adotar novos paradigmas de fabricação.

Um mercado de computadores “usados” pode tornar-se dominante se os ganhos de desempenho se tornarem marginais, prolongando a vida útil dos chips.

Startups, como a American Compute Corporation, exploram novas arquiteturas de CPU e processos de fabrico simplificados para o pós-Moore.