Le doublement biennal de la densité de transistors se heurte à l'explosion des coûts et à la diminution du nombre de producteurs.
Les métriques nanométriques sont trompeuses car il n’existe plus de mesure physique équivalente pour les transistors FinFET modernes.
La lithographie EUV et High-NA EUV poussent la résolution à 6–7 nm, mais la chimie des photorésists devient un goulot d’étranglement sous 7–5 nm.
L’évolution des transistors vers FinFET, puis GAAFET (et bientôt CFET) accroît énormément la complexité de fabrication.
L’abandon de l’échelle de Dennard depuis 2006 a stoppé la progression des fréquences CPU et augmenté la densité et la consommation d’énergie.
Les optimisations comme l’alimentation arrière ou l’assemblage de chiplets deviennent des palliatifs à court terme, sans garantir la viabilité à long terme.
La hausse vertigineuse des coûts de masques photolithographiques écarte les petits acteurs des nœuds avancés.
Pour survivre, l’industrie doit simplifier les processus, explorer des architectures tolérantes aux défauts et repenser la fabrication de manière radicale.
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