晶圆厂建造成本和行业壁垒持续上升,摩尔定律经济基础正在崩溃。
纳米工艺标称尺寸已不再真实,有效晶体管密度受几何和光刻分辨率限制。
极紫外光刻和光阻材料技术难以突破7nm以下工艺瓶颈。
FinFET到GAAFET再到CFET的晶体管演进不断提升复杂度和成本,寿命有限。
丹纳德缩放失效导致处理器主频停滞,功耗密度难以降低。
光掩膜成本暴涨,挤压小型客户,挑战代工商业模式。
必须寻求大幅简化工艺、容错设计或新商业模式才能继续前进。
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