ムーアの法則の持続不可能性

トランジスタ密度は2年ごとに倍増する一方で、最先端ファウンドリの建設コストは5年で倍増し、参入企業は半減している。

ナノメートル表記は実際の物理寸法を示さないマーケティング用語となっており、FinFET以降の構造に対応していない。

EUVリソグラフィは約6～7nm分解能を達成したが、フォトレジストの化学的限界（5nm付近）が微細化の障壁となっている。

FinFETはGAAFET（ゲート・オール・アラウンド）やCFETなどに置き換わるが、いずれも製造プロセスの複雑化とコスト増を伴う。

Dennardスケーリングの破綻によりCPUクロックは頭打ちとなり、電力密度問題が性能向上を制約している。

背面電力供給やチップレット／ダイスタッキングは一度きりの最適化に過ぎず、持続的な性能向上策とはなりえない。

写真マスク価格の急騰は少量生産企業を排除し、TSMCなど大手ファウンドリのビジネスモデルを揺るがしている。

次世代技術を既存プロセス並みに初日から量産可能にするのは困難であり、製造プロセスの簡素化がコスト削減の鍵となる。

高欠陥率に耐える冗長・並列設計や垂直統合によるサプライチェーン再編が、新たな低コスト半導体製造手法の可能性を秘めている。